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包括的事宜
背景
運算的設計和原理
對電磁體的使用
科技目前進步水平 DC 和 AC 電源
進程
基體清潔和易反應的離子束蝕刻
DIAMONEX CD 來源的應用
背景
DIAMONEX® CD 的來源 gridless， DC 閉合偏差使用克服的電 (e) 和磁性 (b) 域達到等離子分娩和射線生成的離子源。 此配置有相似性對用於磁控管的這個途徑飛濺減少工作壓力和提高影片沉積率。
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運算的設計和原理
一個緊湊空心負極電子來源 (HCES)，典型地同心與陽極通道，提供電子給 CD 的來源的陽極點燃等離子和充電中立化離子束。 因為提取的離子束充電被中立化，绝緣的基體例如玻璃和塑料可以被處理免費積累。 另外，提取的離子維護他們的能源，因此沒有需要獨立基體偏心。 與熱細絲電子來源比較， DIAMONEX HCES 是更加穩健的并且有更長的壽命在易反應的氣體氣氛，例如氧氣和碳氫化合物。
克服的 E 和 B 域導致維護在離子源的陽極通道的內高密度等離子的流通，閉合的路徑或者 「閉合偏差」電場。 這些域也導致離子加速遠離往這個基體的來源的一位降。 所以，困擾 grided 離子源的 CD 的來源達到離子提取，不用汙穢的問題，屬於顆粒的生成和低離子電流密度。 產生的等離子離子束比那陳列低能源和離子的一個更加清楚的配電器一個 grided 離子束來源，但是與顯著地更高的離子密度。
對電磁體的使用
DIAMONEX CD 的來源使用一個電磁體 (而不是永久磁鐵) 生成 B 域。 電磁體允許 B 域的調整和一個被添加的程度氣體流速的程序控制的獨立。 此分離從其他來源情況的氣體流創建處理靈活性好處超過 gridless 離子源其他設計。
科技目前進步水平 DC 和 AC 電源
CD 的來源管理與最大可靠性的科技目前進步水平，證明的 DC 和 AC 電源。 沒有與此來源的 RF 干涉問題。
| 設計特點 | 福利 |
| 集成 HCES | 協定
燒光的細絲不沾染
沒有需要的基體偏心 |
| Gridless | 高離子漲潮
沒有網格沾染的或棚子微粒 |
| 唯一陽極設計 | 穩定的長期運算
沒有處理氣體限制 |
| 直流電功率 | 穩健電源
沒有 RF 干涉 |
| 水冷 | 低輻射負荷 - 不過度加熱敏感基體 |
| 電磁體 | 工藝過程開發的靈活性 |
進程
DIAMONEX CD 的來源是理想地說適用與各種各樣的商業離子束製造過程受益於離子高漲潮，包括基體、易反應的離子束蝕刻基體和薄膜， (RIBE)直接離子束證言薄膜和薄膜的離子束協助解決的證言離子束清潔 (IBAD)的一個靈活的工具。
故意地， CD 的來源離子的一高漲潮，低能源來源，能够提供幾个 mA/cm 高離子電流密度2 到基體，做它各種各樣的基體清潔和薄膜證言應用的一個理想的解決方法。
基體清潔和易反應的離子束蝕刻
在基體清潔和易反應的離子束蝕刻應用，表面汙染物或薄膜層可以去除以對這個基體的最小的故障。 CD 的來源的唯一設計特性克服問題與绝緣材料相關積累在陽極的，啟用绝緣薄膜的高比率證言。 簡單射線塑造，這個來源能够存款與厚度均一的影片 ± 2% 在一個 100 mm 直徑靜態基體。 均一在一個 200 mm 直徑基體的 ± 0.3% 可以由基體循環和掀動的添加達到。 其他有形資產，例如折射率，也陳列相似的均一。 這個來源典型地提供 ± 0.5% 的運行對膠片厚度反覆性薄膜的。
- 基體清潔
- 易反應的離子束蝕刻
- DLC 和其他材料的直接證言
- 離子束協助解決薄膜的證言
DIAMONEX CD 來源的應用
高度靈活和再現離子漲潮提供工藝過程開發的工程師，并且這個控制為工藝過程最佳化和一貫性需要的製造環境。
DIAMONEX CD 的來源一樣濃厚是可以用於對定金統一和連貫影片一樣稀薄延伸常規薄膜證言技術的範圍像 < 50 埃的精確度工具，或者像 10 微米。
這個來源的唯一設計特性允許它起作用易反應的氣體，例如碳氫化合物，氧氣和硅包含氣體製作透明，電介質， superhard 和低摩擦摩擦學的電影。 這些功能使 CD 的來源有用為基體清潔、蝕刻或者影片證言在許多光學，數據存儲、半導體和摩擦學的應用，包括：
- AR 塗層
- 石版影印
- 纖維光學
- MEMs
- 光過濾器
- 磁介質 & 題頭
來源： 摩根工業陶瓷
關於此來源的更多信息请請參觀摩根工業陶瓷。