PlasmaPro System100 は沈殿および血しょうエッチングプロセスのための強力で、適用範囲が広いシステムです。 ロードロックされたウエファーエントリは急速なウエファー交換を可能にし、プロセスガスの広い範囲を取囲み、そして拡張プロセス温度較差を可能にします。 システムは化合物半導体、 photonics、光電子工学、 microfluidics および MEMS アプリケーションのための高いプロセス柔軟性を所有しています。 PlasmaPro System100 の沈殿ツールおよび血しょう etcher は多くの構成があることができます。
PlasmaPro System100 プロセス技術
PlasmaPro システムによって使用することができるプロセス技術は次のとおりです:
- 帰納的につながれた血しょう (ICP)。
- 帰納的につながれた血しょう化学気相堆積 (ICP CVD)。
- 血しょうは化学気相堆積を高めました (PECVD)。
- 反応イオン腐食 (RIE)。
主要特点
PlasmaPro の主要特点は次のとおりです:
- 8" 扱う小さいバッチ (6 x 2") を前およびパイロット生産の機能可能にするウエファー
- 単一のウエファー/バッチまたはカセットローディングのオプション。
- 生産プロセスのために扱っている中央ロボティックウエファーハンドラおよび完全なカセットにカセットウエファーを持っていることはクラスタシステムに結合することができます。
- 基板の温度調整は -150°C からの +700°C. に電極の広い範囲によって、提供されます。
- レーザーのインターフェロメトリーや光学放出分光学によるエンドポイントの検出は腐食制御を高めるために行うことができます。
- 6 のオプションプロセスおよびプロセスガスの - または 12 ラインのガスのポッドの提供の柔軟性。 システムは主要なプロセスツールからの管理地域に、遠隔に置くことができます。
PECVD のツールおよび RIE のツールは機能下記のようにリストされています:
PECVD のツール:
- 13.56 MHz によって運転される平行版リアクター。
- 」混合する任意選択 kHz および 「頻度。
- PECVD のために最適化されるシャワー・ヘッドのガスの入口。
- 400°C および 700°C の基板の電極。
RIE のツール:
- 13.56 MHz によって運転される平行版リアクター。
- 冷却された基板の電極。
- RIE のために最適化されるシャワー・ヘッドのガスの入口。
- 高導電率の真空のレイアウト。
プロセス
次はプロセスのいくつかのリスト PlasmaPro System100 血しょう腐食です及び沈殿ツールは行うことができます:
- MEMS、 microfluidics および photonics のための Cryo Si の腐食、 Bosch 深い Si の腐食および SOI プロセス。
- レーザーのための III-V の腐食プロセスはいろいろ材料 (INP、 InSb、 InGaAsP、 GaAs、 AlGaAs、 GaN、 AlGaN、等) の穴、光通信の水晶および他の多くのアプリケーションによって、彫面を切り出します。
- HB LEDs の GaN、 AlGaN、等のエッチングおよび他の力装置のための試作期間および R & D プロセス。
- photonics アプリケーションのための良質2 および高レート SiO の沈殿。
- 金属 (Nb、 W) 腐食。