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Kyma टेक्नोलॉजीज दो नई नाइट्राइड टेम्पलेट उत्पाद रेखाएँ लांच

Published on May 17, 2010 at 8:12 PM

Kyma टेक्नोलॉजीज, Inc , अल्ट्रा उच्च शुद्धता क्रिस्टलीय गैलियम नाइट्राइड (Gan) और एल्यूमीनियम नाइट्राइड (AlN) सामग्री और संबंधित उत्पादों और सेवाओं की एक प्रमुख आपूर्तिकर्ता, आज दो नए नाइट्राइड टेम्पलेट उत्पाद लाइनों के शुभारंभ की घोषणा की.

सी टेम्पलेट्स पर Kyma AlN दरार मुक्त और कम धनुष कर रहे हैं और क्रिस्टलीय AlN की एक पतली परत (200nm करने के लिए) एक सी (111) सब्सट्रेट पर जमा से मिलकर बनता है. 2 ", 3", और 4 के diameters "वर्तमान में उपलब्ध हैं अत्यधिक उन्मुख उप अनाज और चिकनाई (<1nm RMS) क्रिस्टलीय AlN परत की संरचना. जमा करने के लिए एक उत्कृष्ट महामारी ग्राहकों के लिए तैयार nucleation सतह प्रदान करता है गण मन आधारित युक्ति परतों.

Kyma सी टेम्पलेट्स गण मन पर दरार मुक्त और कम धनुष कर रहे हैं और से मिलकर बनता है एक पतली, चिकनी (<1nm RMS) गण मन की परत सी (111) टेम्पलेट पर Kyma AlN के शीर्ष पर जमा है. सी टेम्पलेट वर्तमान में उत्पादों की पेशकश पर गण मन है एक 500 एनएम परत और 2 गण मन ", 3", और 4 "व्यास गण मन की सतह प्रकाश उत्सर्जक डायोड जैसे अतिरिक्त गण मन और गण मन आधारित युक्ति परतों के epitaxial विकास के लिए महामारी के लिए तैयार है. (एल ई डी), क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (FETs), और Schottky डायोड.

कम लागत सिलिकॉन substrates और Kyma कम लागत उच्च प्रदर्शन बयान प्रक्रियाओं के संयोजन उत्कृष्ट सामग्री के लिए एक लागत प्रभावी उच्च गुणवत्ता टेम्पलेट बनाने शुरू कर रहे हैं.

तमारा Stephenson, Kyma तकनीकी सेल्स इंजीनियर ने कहा, "हमारे ग्राहकों ने हमें पूछ रहा है गण मन और AlN टेम्पलेट सी substrates पर आधारित उत्पादों को विकसित करने के लिए यह एक महान करने के लिए इन उत्पादों के लिए उच्च प्रत्याशित आदेश को स्वीकार शुरू खुशी है."

डा. एड Preble है, Kyma सीओओ और वीपी व्यवसाय विकास ने कहा, "Kyma टेम्पलेट उत्पादों के लिए बाजार खींच इन गण मन और सी टेम्पलेट्स पर AlN के लिए विशेष रूप से मजबूत है, हमारे लिए महत्वपूर्ण लक्ष्यों के लिए लगातार सुधार और हमारे उन्नत क्रिस्टलीय की बढ़ती पोर्टफोलियो बढ़ाने. बाजार के विस्तार की जरूरत के अनुसार-III एन substrates. "

भविष्य में, Kyma और बड़ा व्यास टेम्पलेट्स की पेशकश और भी गण मन मोटाई का विस्तार किया जाएगा आगे, क्रम में करने के लिए कम दोष घनत्व और उच्च तापीय चालकता प्रदान.

Last Update: 8. October 2011 05:34

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