Kyma Technologies， Inc.，超离频的纯度水晶镓氮化物 (GaN) 和氮化铝 (AlN) 材料和相关产品和服务的主导的供应商，今天宣布了签署与 Sensor Electronic Technology (JDA)，开发低缺陷密度 AlGaN (SETI) 光电子基体的 Inc. 的联合开发协议和的高性能和在这些基体基础上的电子设备。
在此 JDA 下， Kyma 将开发新颖的低缺陷密度 AlGaN 基体，并且 SETI 将使用在下一代高效率深紫外 LEDs 的发展的那些基体。
每氮化物半导体设备层栈有一个首选基体格子常数，暗示首选基体构成。 AlN 和 GaN 基体为设备是 AlN 丰富和 GaN 丰富的层栈分别更喜欢。 对设备层堆积有一件半成品首选格子常数，例如深紫外 LEDs，并且某一下一代高频率和大功率电子， AlGaN 基体更喜欢。
SETI 是深紫外 LEDs 和 LED 闪亮指示世界的唯一的商业制造商和当前有 LEDs、 LED 闪亮指示和 LED 解决方法产品投资组合从 240nm 通过 400nm。 最近， SETI 宣布了大超过 30 兆瓦在这个 UVC 光谱的功率唯一筹码 LEDs。
“根据此协议做的基体发展将帮助 SETI 继续改进大功率 LEDs 其性能，并且闪亮指示”说 SETI， Remis Gaska 的总裁兼 CEO， “这将帮助我们生长新市场和坚守我们的阵地作为领导先锋在深紫外 LED 产品”。
“我们是兴奋的在这个机会与 SETI 一起使用开发一条低缺陷密度 AlGaN 基体产品线，应该有益于先进的氮化物半导体设备技术的范围”，被添加的基思伊万斯， Kyma 技术的总裁兼 CEO。
SETI 和 Kyma 两个在关于氮化物半导体 (IWN 的问题国际讲习会存在 2010) 在坦帕，在 9月 19日到第 24 的佛罗里达。