Nanoplas ，HDRF等离子处理设备的MEMS一个快速增长的全球供应商，3D通过硅通孔（TSV），IC封装和III - V化合物，今天推出了全自动干加工一批高容量200mm生产系统。
DSB的9000A Nanoplas的高密度自由基通量（HDRF）技术的基础上，和执行的工具之一，在微电子制造业的关键生产步骤，包括：
- 博世进程去除聚合物，其残留物和光致抗蚀剂从80-250 ° C
- 各向同性蚀刻有机牺牲层，
- 前晶圆键合活化
“DSB的9000A，在我们不断增长的等离子处理设备的最新的工具，优于传统的射频等离子体和微波系统，同时大大降低了表面损伤的风险，说：”首席执行官吉尔Baujon Nanoplas。 “这种灵活的，高吞吐量，200毫米的系统提供了MEMS制造商损坏的干燥处理，同时消除了昂贵的步骤，从而导致更低的拥有成本。”
DSB 9000A ICP源以100％的气体解离，到1000倍，比传统的等离子源产生的自由基的浓度水平，从而提供增强的处理性能，包括较高的高宽比结构的清洗性能。系统的专有技术，省去了充电的影响和紫外线辐射，通常与传统的血浆关联，使无粘连，加工和低温运行。
HDRF给工艺工程师出色的灵活性，提供三种不同的操作模式涵盖了广泛的进程，从表面的超灵敏，清洗，清除非活性的残留物。光阻剥离的典型吞吐量60-70 WPH，大于100 WPH，每个进程的模块后博世清洗和表面活化。