GaN basierte Epitaxie auf Silikon (Si) ist sehr schwierig wegen der thermischen Nichtübereinstimmung zwischen GaN und Si, das extreme Zugspannung verursacht, nachdem es abgekühlt ist. Für solchen Anwendungen LayTecs ist EpiCurveTT das Hilfsmittel der Wahl für eine genaue in-situspannungstechnik. Prof Alois Krost und sein Team an der Universität Ottovon- Guericke (OvG) in Magdeburg, Deutschland, wendete das Hilfsmittel an, um eine Technikmethode der neuen Spannung zu entwickeln, indem er Germanium als (Ge) Ndopant anstelle des Si verwendete.
Die Abbildung Showbiegungsmaß auf zwei anders als lackierten GaN-/Siproben. Die abwärts Steigung nach dem Lt-AlN Zwischenlagenwachstum zeigt Druckspannung an. Mit dem Zusatz des Si als Dopant, wandelt die Steigung (Vollinie), das Si um, das Ursachenzugspannung und während des Abkühlens der Beispielbrüche lackiert. Im Falle GEs bleibt die Lackierung jedoch der Biegungssteigung (dashed line) unverändert und die Probe bleibt Bruch-frei.
In-situbiegungsmaße mit EpiCurve®TT von GaN/Si mit dem lackierenden (Vollinie) und GElackierung Si (ausgestrichene Linie).
Photoluminescence-Spektren des GE lackierten GaN zeigt ein verdoppeltes Lumineszenz intensitiy verglichen mit der Silackierung. Dieses prüft gute materielle Qualität der ca. 1,6 ìm starken GaN-Zelle.
Entsprechend Armin Dadgar von OvG-Universität, „die Idee, GaN-auf-Silikon mit einem alternativen Dopant zu lackieren ist ziemlich alt. Aber jetzt, mit Spannungsregelung und Technik mit Mischdopanten, gibt EpiCurveTT einen neuen Antrieb für GaN-/Sieinheitsanwendungen.“