GaN basó epitaxia en el silicio (Si) es muy desafiador debido a la discordancía térmica entre GaN y el Si, que causa la tensión de tensión extrema después de enfriar. Para EpiCurveTT de tal las aplicaciones LayTec es la herramienta de la opción para una ingeniería "in-situ" exacta de la deformación. Profesor Alois Krost y sus personas en la Universidad de Ottovon- Guericke (OvG) en Magdeburgo, Alemania, aplicó la herramienta para desarrollar un método de fabricación y utillaje de la nueva deformación usando el germanio (Ge) como n-dopante en vez del Si.
La figura medición de la curvatura de las demostraciones en dos muestras diferentemente dopadas de GaN/Si. El declive hacia abajo después del incremento de la intercapa del LT-AlN indica el esfuerzo de compresión. Con la adición del Si como dopante, el declive invierte (línea llena), el Si que dopa la tensión de tensión de las causas y durante el enfriamiento de las rajaduras de la muestra. En el caso de GE el doping, sin embargo, del declive de la curvatura sigue siendo sin cambios (de línea discontinua) y la muestra sigue siendo rajadura-libre.
Mediciones "in-situ" de la curvatura con EpiCurve®TT de GaN/Si con el Si que dopa (línea llena) y doping de GE (línea discontinua).
Los espectros de Photoluminescence del GaN dopado GE muestran un intensitiy duplicada de la luminiscencia comparada con el doping del Si. Esto prueba la buena calidad material de la estructura gruesa de GaN de aproximadamente 1,6 ìm.
Según Armin Dadgar de la Universidad de OvG, “la idea de dopar el GaN-en-silicio con un dopante alternativo es muy vieja. Pero ahora, con mando de deformación y la ingeniería con dopantes mezclados, EpiCurveTT da un nuevo impulso para las aplicaciones del dispositivo de GaN/Si.”