GaN baseou a epitaxia no silicone (Si) é muito desafiante devido à má combinação térmica entre GaN e Si, que causa o esforço elástico extremo após refrigerar. Para o EpiCurveTT de tal aplicações LayTec é a ferramenta da escolha para uma engenharia in situ precisa da tensão. O Prof. Alois Krost e sua equipe na Universidade de Ottovon- Guericke (OvG) em Magdeburgo, Alemanha, aplicou a ferramenta para desenvolver um método de engenharia da tensão nova usando o germânio (Ge) como o n-entorpecente em vez do Si.
A figura medida da curvatura das mostras em duas amostras diferentemente lubrificadas de GaN/Si. A inclinação descendente após o crescimento do interlayer do LT-AlN indica o esforço compressivo. Com a adição de Si como o entorpecente, a inclinação inverte (linha contínua), o Si que lubrifica o esforço elástico das causas e durante refrigerar as rachaduras da amostra. No caso do Ge lubrificar, contudo, a inclinação da curvatura permanece inalterada (linha tracejada) e a amostra permanece rachadura-livre.
Medidas In Situ da curvatura com o EpiCurve®TT de GaN/Si com o Si que lubrifica (linha contínua) e lubrificação do Ge (linha tracejada).
Os espectros de Photoluminescence do GaN lubrificado Ge mostram um intensitiy dobrado da luminescência comparado com a lubrificação do Si. Isto prova a boa qualidade material da estrutura grossa de GaN de aproximadamente 1,6 ìm.
De acordo com Armin Dadgar da Universidade de OvG, “a ideia lubrificar o GaN-em-silicone com um entorpecente alternativo é bastante velha. Mas agora, com controle de tensão e engenharia com entorpecentes misturados, EpiCurveTT dá um impulso novo para aplicações do dispositivo de GaN/Si.”