GaN основало эпитаксию на кремнии (Si) очень трудный из-за термального рассогласования между GaN и Si, который причиняет весьма растяжимое усилие после охлаждать. Для EpiCurveTT такого применений LayTec инструмент выбора для точной в-situ инженерстве напряжения. Prof. Alois Krost и его команда на Университете Ottovon- Guericke (OvG) в Магдебурге, Германии, прикладном инструмент для того чтобы начать метод инженерства нового напряжения путем использование германего (Ge) как n-dopant вместо Si.
На диаграмму показано измерение погнутости на 2 по-разному данных допинг образцах GaN/Si. Ухудшающийся наклон после роста прослойка Лт-AlN показывает давление при сжатии. С дополнением Si как dopant, наклон переворачивает (сплошная линия), Si давая допинг усилию причин растяжимому и во время охлаждать отказы образца. В случае Ge давать допинг, однако, наклону погнутости остает неизменным (брошенная линия) и образец остает отказ-свободным.
В-situ измерениях погнутости с EpiCurve®TT GaN/Si при Si давая допинг (сплошная линия) и давать допинг Ge (брошенная линия).
Спектры Photoluminescence GaN данного допинг Ge показывают удвоинное intensitiy люминесценции сравненное с давать допинг Si. Это доказывает хорошее материальное качество структуры GaN приблизительно 1,6 ìm толщиной.
Согласно Armin Dadgar Университета OvG, «идея дать допинг GaN-на-кремнию с альтернативным dopant довольно стара. Но теперь, с управлением напряжения и инженерством с смешанными dopants, EpiCurveTT дает новый ИМП ульс для применений прибора GaN/Si.»