Kyma Technologies， Inc.，水晶氮化物半导体材料的主导的供应商，今天宣布铝镓氮化物 (AlGaN) 模板的添加对其产品投资组合。
作为一个先进的中间紫外 LED 技术研究计划一部分， Kyma 开发了此产品与合作伙伴合作，是持续的。 然而， AlGaN 模板有巨大潜在影响其他应用，包括大功率 RF 通信和大功率切换电子。
Kyma 的最初 AlGaN 模板产品提供包括 5 微米厚实的 epi 准备好的 Al.9Ga.1N 缓冲层增长在一 2" 顶部直径青玉基体。 在将来将提供另外的构成和厚度。
“在胜过他们的在高温运算的 GaN 副本对于未冷却的汽车应用是必需的”，指明的爱德 Preble， Kyma 的首席技术军官的 AlN/AlGaN 异质结构基础上的晶体管已经被展示了。 “我们的 AlGaN 模板应该支持在晶体管性能的进一步提高，因为他们支持更低的缺陷密度有效的地区，当与在 SiC 或青玉基体增长的典型的 MOCVD 或 MBE 缓冲比较层”。
基思伊万斯， Kyma 的总统 & CEO，被添加， “我们的工程师很多非常迅速完成和已经展示了高 Al 目录精锐部队自由的 AlGaN 层 10 微米厚实。 并且我们不终止那里。 在 2012年我们的目标是起来对 100 微米在以后六个月内和展示独立 AlGaN”。
将来，这家公司计划扩展他们的提供为 Al 目录、 AlGaN 厚度、基体直径 (即， 3" 和 4") 和基体构成的其他组合的 AlGaN 模板产品 (即， Si 和 SiC)。
塔玛拉斯蒂芬森， Kyma 的技术销售工程师女士，被添加， “我们是兴奋的在什么我们的 AlGaN 模板可能为我们的客户执行。 它仍然是一个早期的产品，并且我们寻求客户介入帮助我们知道它如何充当他们的设备研究，并且我们如何也许进一步改进它”。