Камероном Chai
Исследователя от Отдела Науки Материалов на Университете Кембриджа и Электронно-оптический Исследовательского Центра на Университете Саутгемптона дирижировали изучение на материалах памяти изменения участка используя предварительное оборудование и датчики MEMS.
Исследователя рассмотрели поведение этих полупроводников когда они были нагреты быстро на около 10,000°C в секунду. Сотруднические результаты изучения показывали что кристаллические темпы роста материалов изменения участка гораздо быстре чем предположено и также их поведение роста не делает быть в зависимости от окружающая среда.
Профессор Дэн Hewak на Университете Саутгемптона заявил что они выполняли исследование на новаторских материалах и стеклах изменения участка для больше чем декада. Однако, понимать кристаллизацию и плавить поведения этих материалов нагрето, были ограничены к тарифам на отопление до 10°C в минуту путем использование традиционных методов термального анализа. Для того чтобы увеличить приборы памяти, необходимо понять свойства материалов на таких же тарифах на отопление, заключенного Дэн Hewak.
Этот прорыв очень важен по мере того как он обеспечивает полностью новую проницательность в понимать быстрые изменения которые случаются в материалах используемых для изготовлять приборы памяти, закавыченные Профессоров Мартина Salinga и Matthias Wuttig от Университета RWTH Аахен основанного в Германии.
Процесс данных по чтения и сочинительства в приборах оптической памяти как приборы электронная память DVDs и Компактного диска-RWs и вытекать может произойти на высоких скоростях наносекунд. Однако, изменения которые осуществляют в этих материалах на топлении можно понять через эксперименты, где тарифы на отопление очень медленны. Таким Образом, понимать поведенческие изменения материалов может вести к развитию более малых, более быстро и сильно с низким энергопотреблением приборов связи.
Источник: http://www.southampton.ac.uk/