卡梅伦柴
使用先进的设备和 MEMS 传感器，从材料学和在南安普敦大学的光电子研究中心的部门的研究员在剑桥大学的进行了关于相变内存材料的研究。
当他们大约迅速地被加热了在 10,000°C 每秒，研究员检查这些半导体工作情况。 合作研究结果向显示相变材料的水晶生长率比预计快速并且他们的增长工作情况不取决于这个环境。
丹 Hewak 教授南安普敦大学的阐明，他们比十年进行对创新相变材料和玻璃的研究更多的。 然而，了解结晶和熔化这些材料工作情况，当通过使用传统热分析方法，加热，被限制了到至 10°C 的加热速率每分钟。 为了提高存储设备，了解材料以同样加热速率，推断的丹 Hewak 的属性是必要的。
此突破是非常重要的，因为它提供在了解在为制造存储设备用于的材料发生，被引述的教授从在德国根据的 RWTH 亚琛大学的马丁 Salinga 和马赛厄斯 Wuttig 的迅速更改的全新的答案。
读数和文字数据的进程在光储存器设备象 DVDs 和 CDRWs 和涌现的电子存储设备的可能高速地发生纳秒。 然而，在这些材料发生在热化的更改可以通过实验了解，加热速率是非常慢的。 因此，了解材料的性能上的更改可能导致更小，快速地和高度省能源的通信设备的发展。
来源： http://www.southampton.ac.uk/