卡梅倫柴
使用先進的設備和 MEMS 傳感器，從材料學和在南安普敦大學的光電子研究中心的部門的研究員在劍橋大學的進行了關於相變內存材料的研究。
當他們大約迅速地被加熱了在 10,000°C 每秒，研究員檢查這些半導體工作情況。 合作研究結果向顯示相變材料的水晶生長率比預計快速並且他們的增長工作情況不取決於這個環境。
丹 Hewak 教授南安普敦大學的闡明，他們比十年進行對創新相變材料和玻璃的研究更多的。 然而，瞭解結晶和熔化這些材料工作情況，當通過使用傳統熱分析方法，加熱，被限制了到至 10°C 的加熱速率每分鐘。 為了提高存儲設備，瞭解材料以同樣加熱速率，推斷的丹 Hewak 的屬性是必要的。
此突破是非常重要的，因為它提供在瞭解在為製造存儲設備用於的材料發生，被引述的教授從在德國根據的 RWTH 亞琛大學的馬丁 Salinga 和馬賽厄斯 Wuttig 的迅速更改的全新的答案。
讀數和文字數據的進程在光儲存器設備像 DVDs 和 CDRWs 和湧現的電子存儲設備的可能高速地發生納秒。 然而，在這些材料發生在熱化的更改可以通過實驗瞭解，加熱速率是非常慢的。 因此，瞭解材料的性能上的更改可能導致更小，快速地和高度省能源的通信設備的發展。
來源： http://www.southampton.ac.uk/