カメロンシェ著
アーカンソーおよび南京大学の大学からの調査チームは銅の小さい正方形の網に中断される支えがない graphene シートの緊張か機械特性を制御するために新しい実験技術を開発しました。
左、銅の網の中断された graphene の膜の原子力の顕微鏡の画像。 権利、中断された graphene の膜で取られる原子解像度のスキャンのトンネルを掘る顕微鏡の画像。 従って研究者は graphene の膜の形および電子特性を、制御するのにスキャンのトンネルを掘る顕微鏡を使用できました。 (サルバドル Barazzo ローペッツのアーカンソーの大学の画像礼儀)
緊張は支えがない graphene で誘導されるとき、磁界の影響を受けてあるように機能します。 調査チームは緊張の制御によってこの nanomaterial の電子特性のような他の重要な特性を処理またできます。
調査の間に、アーカンソーの大学からのポール Thibado のチームおよびポン Xu は一定した現在の条件の下で (STM)銅の網に中断された graphene の膜の表面を調査するのにスキャンのトンネルを掘る顕微鏡を使用しました。 研究者は移動します STM の先端は一定した流れにより維持するために電圧を変えました。 先端の動きの上下のこれにより支えがない graphene の膜の形をした変更を引き起こしました。
研究者は graphene の膜と先端間の電荷が膜の形そして位置を処理したことが分りました。 それ故に、彼らは先端の電圧の変更によって graphene の膜の緊張を制御できました。 この制御は nanomaterial の疑似磁気特性を処理して重大です。
調査の一部として、ローレント Bellaiche および南京大学からの Yurong ヤンとともにアーカンソーの大学およびアーカンソーの大学からのサルバドル Barraza ローペッツは新しい技術によって生成される緊張を処理するこの最近検出された機能を分析するために graphene の膜ベースの理論システムを調査しました。
研究者は理論システムの緊張のレベルを認可し、膜に関して STM の先端の位置を模倣しました。 彼らは先端と graphene の膜間の相互作用が膜の先端の位置に頼ったことが分りました。 見つけるこれは特定の緊張および電圧のための疑似磁気フィールドの計算で有用です。
従って研究者はまた銅の網によって形作られたフロンティアが否定的で、肯定的な値の間で振動するために疑似磁気フィールドを作ったこと一定した値よりもむしろフィールドのための最適値を報告することを科学者が可能にすることを検出しました。 Barraza ローペッツは網が三角ならこと知らせま、従ってフィールドは非振動フィールドであるかもしれより制御された方法で nanomaterial の疑似磁気特性を使用する道を開きます。
調査の調査結果は物理的な検討 B の急流の通信連絡で報告されました。
ソース: http://www.uark.edu