卡梅伦柴
从 MIT 和波士顿学院的材料科学家开发新颖的纳米技术设计增加批量合金半导体的电导率例如硅锗 30 到 40%。
当长期重视为高温应用，批量合金半导体 SiGe 未借自己对更加清楚的采用由于其低热电性能和锗的高费用。 从波士顿学院和 MIT 的研究员创建的一个新颖的纳米技术设计在热电性能显示了一 30% 到 40% 增量并且减少了相当数量昂贵的锗。
批量 SiGedelivers 高性能，当使用在高温热电应用，包括在美国航空航天局飞行程序使用的放射性同位素热电生成器。 然而，材料的更宽的应用有限归结于其低热电性能和锗的增加的费用。
研究员显示出使用 3D 模块化掺杂的方法进程，他们能通过更改材料的设计提高批量合金半导体的电导率 50%，是常用的在薄膜半导体行业。 3D 处理在发展有一个高优值的固体器件成功大约 1.3 在 900 个 °C。
Bo Yu，波士顿学院的毕业生研究员，阐明，改进优值材料的是非常富挑战性作为所有内部系数严密地与彼此相关。 如果更改一个系数，则其他可能也更改，导致没有材料的性能的改善。 因此，研究员寻找新机会或开发在此域的新的物质系统。
由 MIT 和波士顿学院研究员开发的新的设计需要 30% 较少锗与 n 型的 SiGe 合金材料的标准设计比较。 因此，对于生产是必需的费用合计材料降低，为创新清明节技术是重要的。 ZhifengRen，在波士顿学院的物理教授，表明他们着重去除由他们学习所有材料的费用障碍。 当前研究工作从固体太阳热能转化中心得到资助技术支持。
来源： http://www.bc.edu/