卡梅倫柴
從 MIT 和波士頓學院的材料科學家開發新穎的納米技術設計增加批量合金半導體的電導率例如硅鍺 30 到 40%。
當長期重視為高溫應用，批量合金半導體 SiGe 未借自己對更加清楚的採用由於其低熱電性能和鍺的高費用。 從波士頓學院和 MIT 的研究員創建的一個新穎的納米技術設計在熱電性能顯示了一 30% 到 40% 增量并且減少了相當數量昂貴的鍺。
批量 SiGedelivers 高性能，當使用在高溫熱電應用，包括在美國航空航天局飛行程序使用的放射性同位素熱電生成器。 然而，材料的更寬的應用有限歸結於其低熱電性能和鍺的增加的費用。
研究員顯示出使用 3D 模塊化摻雜的方法進程，他們能通過更改材料的設計提高批量合金半導體的電導率 50%，是常用的在薄膜半導體行業。 3D 處理在發展有一個高優值的固體器件成功大約 1.3 在 900 个 °C。
Bo Yu，波士頓學院的畢業生研究員，闡明，改進優值材料的是非常富挑戰性作為所有內部系數嚴密地與彼此相關。 如果更改一個系數，則其他可能也更改，導致沒有材料的性能的改善。 因此，研究員尋找新機會或開發在此域的新的物質系統。
由 MIT 和波士頓學院研究員開發的新的設計需要 30% 較少鍺與 n 型的 SiGe 合金材料的標準設計比較。 因此，對於生產是必需的費用合計材料降低，為創新清明節技術是重要的。 ZhifengRen，在波士頓學院的物理教授，表明他們著重去除由他們學習所有材料的費用障礙。 當前研究工作從固體太陽熱能轉化中心得到資助技術支持。
來源： http://www.bc.edu/