Новый Метод Помогает Свойствам Управления Электрическим и Механически Graphene

Published on April 4, 2012 at 3:43 AM

Камероном Chai

Научно-исследовательская группа от Университета Арканзас и Университета Нанкина начинала новый экспириментально метод для того чтобы контролировать напряжение или механически свойство freestanding листов graphene ых над малыми квадратными сетками меди.

Левая Сторона, атомное изображение микроскопа усилия ой мембраны graphene на медной сетке. На праве, изображение микроскопа прокладывать тоннель скеннирования при атомное разрешение принятое на ую мембрану graphene. Исследователя могли использовать микроскоп прокладывать тоннель скеннирования для того чтобы контролировать форму, и поэтому электронные свойства, мембраны graphene. (Учтивость Изображения Сальвадора Barazzo-Lopez, Университета Арканзас)

Когда напряжение наведено на freestanding graphene, оно действует если оно под влиянием магнитного поля. Научно-исследовательская группа могл также манипулировать другие важные свойства как электронные свойства этого nanomaterial путем контролировать напряжение.

При изучении, команда Паыля Thibado и Peng Xu от Университета Арканзас использовали микроскоп прокладывать тоннель скеннирования (STM) для того чтобы расследовать поверхность мембран graphene ых над сетками меди под постоянн настоящим состоянием. Исследователя изменили напряжение тока для поддержания постоянн течения, причиняя подсказку STM двинуть. Это вверх и вниз движения подсказки причинило изменения в форме freestanding мембран graphene.

Исследователя нашли что электрический заряд между мембраной graphene и подсказкой манипулировал форму и положение мембраны. Следовательно, они могли контролировать напряжение на мембране graphene путем изменять напряжение тока подсказки. Это управление критическое для того чтобы манипулировать свойства nanomaterial псевдо-магнитные.

Как часть изучения, Laurent Bellaiche и Сальвадор Barraza-Lopez от Университета Арканзас вместе с Yurong Yang от Университета Нанкина и Университета Арканзас изучали системы мембран-основанные graphene теоретические для того чтобы проанализировать эту заново открынную способность манипулировать напряжение произведенное новым методом.

Исследователя утвердили уровень напряжения на теоретических системах и моделировали положение подсказки STM по отношению к мембране. Они нашли что взаимодействие между подсказкой и мембраной graphene положилось на положении подсказки на мембране. Это находя будет полезно в вычислять псевдо-магнитное поле для специфических напряжения и напряжения тока.

Исследователя также открыли что границы сформированные медной сеткой сделали псевдо-магнитное поле для того чтобы осциллировать между отрицательными и положительными значениями, таким образом позволять научные работники сообщить оптимальное значение для поля вернее чем величины постоянной. Barraza-Lopez информированный который если сетки триангулярны, то поля мог быть non-осциллируя полями, таким образом вымощающ путь использовать свойство nanomaterial псевдо-магнитное в более контролировать образе.

Заключения изучения были сообщены в Физических Связях Речного Порога B Просмотрения.

Источник: http://www.uark.edu

Last Update: 4. April 2012 04:26

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit