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  • Dynamic-Ceramic: UK supplier of advanced ceramics - zirconia and alumina products

Sistema Reattivo Incissione All'acquaforte dello Ione - Fantasma III dalle Tecnologie di Trion

Lo III Fantasma RIE (sistema reattivo incissione all'acquaforte dello ione) è destinato per fornire ai laboratori dell'analisi di guasto e della ricerca plasma avanzato incide la capacità facendo uso di singoli wafer, dadi o parti facendo uso di fluoro e di chimiche basate sull'impiego dell'ossigeno. Il sistema ha un compatto, progettazione modulare sviluppata su una piattaforma di economia di spazio.

Applicazioni

I Processi sono stati sviluppati per incisione isotropa o anisotropa del diossido di silicio, del nitruro di silicio e di altri materiali richiedenti chimiche fluorate o tutte le non tossiche, anti corrosive. Lo III Fantasma viene con appoggio trattato completo sia prima di che a seguito dell'acquisto.

Caratteristiche dello Strumento

  • Reattore
    Il catodo e l'anodo ciascuno sono lavorati dai singoli blocchi di alluminio. Dopo Che critico ispezione sono anodizzati duro per la protezione dalle chimiche trattate. L'elettrodo inferiore è disponibile nelle dimensioni di 300mm o di 200mm e può elaborare i singoli wafer, dadi o parti (2" - 300mm). I gas Trattati sono introdotti nella camera da un anello anulare o da un collettore della doccia.
  • Rete di Corrispondenza Automatica
    La rete unicamente progettata è integrata come parte integrante dell'assemblea dell'elettrodo inferiore per non assicurare la sintonizzazione accurata, la perdita di trasmissione bassa e virtualmente radiazione fuori della rete stessa di RF. La rete utilizza un sensore e gli amplificatori di grandezza di fase per fornire le risposte istantanee per la sintonizzazione rapidamente precisa.
  • Generatore di RF
    Il sistema viene con i 600 watt, 13,56 Megahertz, generatore semi conduttore di RF.
  • Interfaccia Operatore del Touch Screen
    Uno schermo piatto di colore con l'interfaccia del touch screen fornisce sempre all'operatore informazioni trattate complete. L'interfaccia di software guida l'operatore con ogni sequenza ad un modo logico e dà il controllo di punta delle dita di tutti i parametri trattati.
  • Regolatore Trattato del PC
    Il regolatore di processo del PC fornisce il controllo di sistema semplice ed affidabile. Il pacchetto di programmi grafico crea i programmi nella forma dello schema a blocchi. Le ricette Trattate sono immagazzinate sul disco rigido o che possono essere immagazzinate sugli azionamenti dell'USB Flash permettendo che ogni operatore mantenga le diverse ricette.
  • Modulo di Distribuzione di CA
    Il modulo di distribuzione di CA distribuisce automaticamente le quantità predefinite di potere alle varie componenti interne. Quando il bottone Spento di Emergenza è scattato, il potere di RF è chiuso e tutte le valvole in questione con la consegna del gas sono automaticamente chiuse e la macchina spegne ad una modalità standby sicura. Questo sistema comprende i comandi di potere separati per il CA e le unità periferiche principali.
  • Controllo della Pressione Automatico
    Ogni sistema di Trion include una valvola del controllo della pressione della farfalla azionata direttamente dal regolatore trattato. Ciò fornisce il controllo della pressione indipendente a parte da tutti i altri parametri di elaborazione.
  • Delivery System del Gas
    La tecnologia Avanzata è utilizzata per assicurare la massime integrità e purezza. Ogni camera della reazione accomoda due regolatori di portata in peso e tutto l'impianto idraulico utilizza il supporto di superficie, la tecnologia della C-Guarnizione o i montaggi di VIDEOREGISTRATORE saldati orbitale.
  • Sicurezza
    Il sistema soddisfa le richieste della sicurezza dei SEMI S2-93. Il sistema è CE soddisfacente rispetto alla Direttiva 98/37/EC del Macchinario, alla Direttiva 73/23/EEC di Bassa Tensione ed alla Direttiva 89/336/EEC della Compatibilità Elettromagnetica per i requisiti di Marcatura CE. Un esame della sicurezza dei terzi è disponibile su richiesta.

Last Update: 4. January 2012 15:23

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